반도체 Wafer 두께 및 정밀 단차 분석
Micro Precision은 최신 기술을 사용하여 공인 엘립소메트리 및 표면 프로파일링 방법론을 통합하여 반도체 웨이퍼 두께 및 스텝 높이 분석을 수행합니다. 텍사스주 리처드슨에 있는 저희 실험실은 ISO/IEC 17025-2017 인증 측정을 수행할 수 있도록 ANAB의 인증을 받았습니다.
웨이퍼 두께 및 단차 높이 분석은 반도체 산업에서 사용되는 중요한 구성 요소입니다.
엘립소미터란?
VASE® 가변각 분광 엘립소미터는 컴퓨터로 제어되는 파장 및 입사각 선택 기능을 갖추고 있습니다. 크세논 램프는 자외선(UV)에서 근적외선(NIR)까지 빛을 공급합니다. 개별 파장은 이중 챔버 모노크로메이터로 선택됩니다. 적층형 Si/InGaAs 검출기는 193nm에서 1700nm까지 사용됩니다. 확장된 InGaAs 검출기의 최근 개발로 2500nm까지 측정이 가능합니다. VASE®는 JJ Woolam의 특허받은 AutoRetarder™가 추가된 회전 분석 타원계(RAE) 구성을 사용합니다.
Ellipsometry 정의:
Ellipsometry는 박막 및 벌크 재료를 특성화하기 위해 편광을 사용하는 것입니다. 편광의 변화는 표면에서 빛을 반사한 후 측정됩니다. 박막 두께(t)와 광학 상수(n, k)는 측정값에서 파생됩니다.
측정과 상호 작용하는 각 계층에서 정보를 얻습니다. 필름-기판 인터페이스에서 되돌아오는 빛은 레이어 정보를 제공하기 위해 표면 반사를 방해합니다.
인증된 계단 높이 분석 기능
스타일러스 프로파일러 및 표면 표준:
스타일러스 프로파일러는 표면 지형 연구를 위한 다목적 측정 도구입니다. 프로파일러는 샘플 표면을 스캔하는 다이아몬드 또는 복합 재료 팁이 있는 소직경 금속 스타일러스에 의존합니다. 스캔하는 동안 스타일러스는 표면과 직접 접촉하여 매우 높은 정밀도와 반복성으로 데이터를 얻습니다. 스타일러스 프로파일러 스테이지는 스타일러스 아래에서 샘플을 선형으로 이동하여 표면 프로파일을 측정합니다. 표면 형상을 만나면 스타일러스가 수직으로 이동하여 다양한 형상을 측정합니다.
형상 축소를 위해 스타일러스 프로파일러 기술의 새로운 발전이 개발되었습니다. 비할 데 없는 단계 높이 반복성을 위한 저관성 센서가 포함되어 있습니다. 소프트웨어 향상 및 프로그램 레벨링 기능의 통합은 최소한의 불확실성으로 일관되고 정확한 측정을 보장합니다.
정밀 단계 높이 보정:
측정 기능은 NIST 참조 및 추적 가능한 표준과 함께 전체 계단 높이 프로파일을 측정하는 데 사용되는 표면 프로파일 시스템을 사용하여 설정됩니다.
Dektak 3®
6.5″ 샘플 진공 스테이지, 3″x6″ XY 샘플 변환, 수동 스테이지, 1A 수직 해상도, 131um 최대 수직 범위, 50um ~ 50mm 스캔 길이, 스캔당 최대 8,000포인트, 1mg-40mg 프로그래밍 가능 스타일러스 힘 범위가 있는 표면 프로파일러.
반도체 웨이퍼 및 스텝 높이 기능
ISO/IEC 17025-2017 인증을 받은 ANAB 인증 기능:
- 반도체 웨이퍼 두께 표준
- 반도체 정밀 스텝 높이
| 매개변수 / 장비 | 범위 | 확장된 측정 불확도(+/-) | 공인(ISO/IEC 17025, Z540.3) |
|---|---|---|---|
| 웨이퍼 두께 | (3.0 ~ 1500)nm | 0.32nm | 엘립소미터 및 표준 웨이퍼 |
| 정밀한 걸음 높이 기준 | (100~1000)A(>1~250)kA | 17A | 표면 프로파일러 및 표준 단계 |
기타 기능
Micro Precision은 특정 산업 및 비즈니스 라인을 위한 다양한 응용 분야의 장비에 대해 계측기 교정 서비스를 수행할 수 있습니다. 이 영역에 나열되지 않은 보정이 필요한 경우 Google에 문의하세요.
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