半导体晶圆厚度和精密台阶高度分析

Micro Precision 使用最先进的技术，通过结合经认可的椭圆偏光法和表面轮廓分析方法来执行半导体晶圆厚度和台阶高度分析。我们位于德克萨斯州理查森的实验室获得了 ANAB 的认可，可以执行 ISO/IEC 17025-2017 认可测量。

晶圆厚度和台阶高度分析是半导体行业中使用的关键组件。

Laser measuring semiconductor wafer thickness

什么是椭圆仪？

VASE® 可变角度光谱椭偏仪具有计算机控制的波长和入射角选择功能。氙灯提供从紫外线 (UV) 到近红外 (NIR) 的光。使用双室单色仪选择单个波长。在 193nm 至 1700nm 范围内使用堆叠式 Si/InGaAs 检测器。最近开发的扩展 InGaAs 检测器允许测量到 2500nm。 VASE® 使用旋转分析仪椭偏仪 (RAE) 配置，并添加了 JJ Woolam 的专利 AutoRetarder™

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定义椭圆测量法：

椭圆偏光法是使用偏振光来表征薄膜和散装材料。在从表面反射光后测量偏振的变化。薄膜厚度 (t) 和光学常数 (n, k) 源自测量结果。

从与测量交互的每一层获得信息。从薄膜-基材界面返回的光干扰表面反射以提供层信息。

Diagram of formula used to calculate wafer thickness

A known input polarization is reflected off the wafer sample and the output polarization is measured for difference

认可的步高分析能力

测针轮廓仪和表面标准：

触笔轮廓仪是用于研究表面形貌的多功能测量工具。轮廓仪依靠带有金刚石或复合材料尖端的小直径金属触笔扫描样品表面。在扫描过程中，触笔直接接触表面以获得高精度和可重复性的数据。触针轮廓仪阶段在触针下方线性移动样品以获得表面轮廓的测量值。当它遇到表面特征时，手写笔会垂直移动以测量各种特征。

为缩小几何形状开发了测针轮廓仪技术的新进展。它们包括一个低惯性传感器，可实现无与伦比的步高重复性。软件增强和程序调平功能的结合确保了一致的准确测量和最小的不确定性。

精密步高校准：

测量能力是通过使用表面轮廓系统来建立的，该系统与 NIST 参考和可追溯标准相结合，用于测量整体台阶高度轮廓。

Dektak 3®

具有 6.5″ 样品真空台、3″x6″ XY 样品平移、手动台、1A 垂直分辨率、131um 最大垂直范围、50um 至 50mm 扫描长度、每次扫描最多 8,000 个点、1mg-40mg 可编程测针力范围的表面轮廓仪。

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半导体晶圆和台阶高度能力

ANAB 获得 ISO/IEC 17025-2017 认证能力：

半导体晶圆厚度标准
半导体精密台阶高度

参数/设备	范围	测量的扩展不确定度 (+/-)	已通过认证（ISO/IEC 17025、Z540.3）
晶圆厚度	(3.0 到 1500)nm	0.32nm	椭圆仪和标准晶圆
精密台阶高度标准	(100 到 1000)A (>1 到 250)kA	17A	表面轮廓仪和标准步骤

其他能力

Micro Precision 可以对来自特定行业和业务线的各种应用的设备执行仪器校准服务。如果您有此区域未列出的校准需求，请联系我们。

实验室标准

校准实验室标准对于您的组织进行最准确的测量至关重要。

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光学的

Micro Precision 认可的光学、光和光纤校准实验室服务。

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化工

Micro Precision 认可的热力学和化学校准实验室服务，具有温度、湿度、生命科学和制药能力。

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射频 - 微波

Micro Precision 认可的射频和微波校准实验室服务。

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电气

Micro Precision 认可的电气校准实验室服务，具有万用表、多功能校准器、示波器和电源功能。

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机械与尺寸

Micro Precision 认可的机械和尺寸校准实验室服务，具有压力、扭矩、力、流量、速度和飞机千斤顶负载能力。

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